三星3nm制程有可能先于台积电投产，力图弯道超车

　　据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露，星n先于三星在对投资人释出的程有产力车最新简报中透露，旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产，台积图弯进度比台积电更快，电投道超力图弯道超车，星n先于正式引爆今年台积电与三星最先进的程有产力车制程竞争激战。

　　台积电向来不对竞争对手置评。台积图弯台积电先前于法说会上指出，电投道超采用 FinFET 架构的星n先于 3nm 依原规画在下半年量产，将是程有产力车“下个大成长节点”。



　　业界人士分析，台积图弯三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时，电投道超但从晶体管密度、星n先于效能等层面分析，程有产力车三星的台积图弯 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm，以及英特尔的 Intel 4 制程相当。

　　据台媒《经济日报》分析，三星以“3nm”为最新制程进度命名，表面上赢了面子，但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电，“实际上还是输了里子”。

　　TechSpot 等外媒报导，三星向投资人简报表示，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来八周内启动量产程序，意味 3nm 量产倒数计时。

　　三星表示，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程，新的 3nm 制程所生产的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低 50%，效能提升 30%，芯片体积减少 45%。

　　分析师指出，三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度，最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当，但是频宽与漏电控制表现会更好，带来更优异的效能。

　　但目前无法得知的最大变量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低，导致主要客户大幅转单台积电。业界传出，目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，但未获三星证实。

　　另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客户。相较之下，台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露，旗下 3nm 应用有诸多客户参与，预计首年相较 5nm 与 7nm，会有更多新的产品设计定案。

　　业界认为，苹果、AMD、英伟达、高通、英特尔、联发科等大厂，都会是台积电 3nm 量产初期的主要客户，应用范围涵盖高速运算、智慧手机等领域。台积电强调，3nm 今年下半年量产之后，在 PPA（效能、功耗及面积）及晶体管技术都将领先，且有良好的良率，有信心 3nm 会持续赢得客户信赖。

　　另外，台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局，预期 2024 年风险试产，目标 2025 年量产，看好 2nm 将是业界最领先，且是支持客户成长最适合的技术。

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